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CCP ALD
CCP ALD（电容耦合原子层沉积设备）是在Thermal ALD的基础上引入了电容耦合等离子体，利用电场对气体放电，产生等离子体激活先驱体的反映活性，与Thermal ALD相比能够有效拓宽ALD反映窗口，提高沉积速度，降低薄膜中杂质含量，同时，等离子体引入后能够使活性较低的先驱体源满足ALD反映需要，从而拓展先驱体的选择领域 。被宽泛利用于对温度敏感资料和柔性衬底上薄膜的沉积，具备均匀的加热，高精度的节造特点
详情介绍
加热温度：0-400℃
基片尺寸：4寸、6寸
等离子功率：0W-500W
联系信息
电话：（+86）0551-68992851
邮箱： info@adchem-tech.com
网址： www.adchem-tech.com
地址： 岳阳市高新区创新大路106号
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